绿能芯创获得碳化硅沟槽 MOSFET 器材结构及加工办法专利

  金融界 2025 年 3 月 11 日音讯，国家知识产权局信息数据显现，北京绿能芯创电子科技有限公司获得一项名为“碳化硅沟槽 MOSFET 器材结构及加工办法”的专利，授权公告号 CN 114005869 B，请求日期为 2021 年 11 月。

  天眼查资料显现，北京绿能芯创电子科技有限公司，成立于2017年，坐落北京市，是一家以从事科技推广和使用服务业为主的企业。企业注册本钱7470.6137万人民币，实缴本钱72.0319万人民币。经过天眼查大数据分析，北京绿能芯创电子科技有限公司共对外出资了5家企业，参加招投标项目25次，产业线条，此外企业还具有行政许可3个。