733 “i”区的电势下降∈《碳化硅技能根底原理——成长、表征、器材和使用

  近年来在电力电子范畴取得了显着的重视和开展。比较传统的硅（Si）基功率

  具有许多共同的长处，使其在高效能、高频率和高温环境下的使用中有着十分显着的优势。本

  的作业原理和使用 /

  的长处和使用 /

  是一种宽带隙(Wide Bandgap,WBG)半导体资料，与传统的硅(Si)资料比较，具有更宽的能隙、更高的击穿电场强度和热导率。

  作为第三代半导体资料的代表，具有高温、高速、高效、高可靠性等长处，被誉为“未来电力电子的新星”。本文将具体介

  晶片作为半导体衬底资料，依据电阻率不同可分为导电型、半绝缘型。导电型衬底可用于

  产业链图谱 /

  特征工艺模块简介 /

  （SiC）是一种优秀的宽禁带半导体资料，具有高击穿电场、高热导率、低介电常数等特色，因此在高温、高频、大功率使用范畴具有显着优势。

  作为一种先进的电力电子设备，现已大范围的使用于动力转化、电机操控、电网维护等多个范畴。本文将具体介绍

  炉的差异 /

  介绍与仿真 /

  有哪些优劣势？ /

  菜鸟发问:一个二极管加上电容整流后接到LDO上，原理图如下，想请问下面两种layout放的有啥不一样的差异或许影响吗

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