山西转型综改示范区企业烁科晶体全球首发12英寸高纯半绝缘碳化硅衬底

  近来，山西转型综改示范区入区企业山西烁科晶体有限公司成功研制出12英寸（300毫米）高纯半绝缘碳化硅单晶衬底，属全球首发。同期，还研制成功12英寸（300毫米）N型碳化硅单晶衬底。

  山西烁科晶体有限公司坐落山西转型综改示范区潇河新鼓起的工业园区，是国内从事第三代半导体资料碳化硅出产和研制的领军企业。该企业一直聚集国家严重战略科技需求，根据市场导向展开前瞻性根底技能讨论研讨，在技能立异、工业规划、工业链协平等方面均完结重要打破。

  近年来，烁科晶体经过自主立异和自主研制，全面把握了碳化硅成长配备制作、高纯碳化硅粉料制备工艺，在国内首先完结高纯半绝缘碳化硅单晶衬底要害工艺技能攻关，先后霸占了大尺度扩径工艺和低缺点N型衬底的成长工艺，具有碳化硅粉料制备、单晶成长、晶片加工等整套出产线英寸碳化硅衬底的成功研制，可以逐渐扩展单片晶圆上可用于芯片制作的面积，大幅度的进步合格芯片产值。在平等出产条件下，显着提高产值，下降单位成本，逐渐提高经济效益，为碳化硅资料的更大规划运用供给或许。

  未来，烁科晶体将继续聚集大尺度碳化硅单晶衬底的工业化技能，继续加大研制投入，充沛的发挥技能立异引领效果，打造中心竞赛优势，然后带动立异链、工业链、生态链的立异与重构，引领职业向更高端化方向开展。

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